SSR1N60BTM-WS
MOSFET N-CH 600V 900MA DPAK
Номер компонента:
SSR1N60BTM-WS
Альтернативная модель:
SSR1N60BTM
Производитель:
Sanyo Semiconductor/onsemi
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 600V 900MA DPAK
РОХС:
YES
SSR1N60BTM-WS Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
ВГС (Макс):
±30V
Пакет/кейс:
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 250µA
Пакет устройств поставщика:
TO-252AA
Напряжение стока к источнику (Vdss):
600 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
7.7 nC @ 10 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
900mA (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
12Ohm @ 450mA, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
215 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.