IPD50N10S3L16ATMA1
MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
Номер компонента:
IPD50N10S3L16ATMA1
Альтернативная модель:
DMT10H015LK3-13  ,  IPD50P04P4L11ATMA2  ,  IPD35N10S3L26ATMA1  ,  MIC94310-SYMT-TR  ,  SZMMSZ15ET1G  ,  SIR668ADP-T1-RE3  ,  RK7002BMHZGT116  ,  IR2110SPBF  ,  GS2M-LTP  ,  1N4148W-HE3-08  ,  IPD70P04P409ATMA1  ,  SE555DR  ,  PVX6012PBF  ,  MMBTA42-7-F  ,  IPD50P04P4L11ATMA1  ,  AUIR2085STR  ,  TLE9180D31QKXUMA1  ,  AUIRB24427STR
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
РОХС:
YES
IPD50N10S3L16ATMA1 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss):
100 V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакет/кейс:
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
50A (Tc)
Рассеиваемая мощность (макс.):
100W (Tc)
Пакет устройств поставщика:
PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2.4V @ 60µA
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
4180 pF @ 25 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
64 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
15mOhm @ 50A, 10V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:2381
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
2500
0.98
2450
5000
0.95
4750
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.