IPP200N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
Номер компонента:
IPP200N15N3GXKSA1
Альтернативная модель:
IRFB4615PBF  ,  IRFB4227PBF  ,  A759MS156M2CAAE094  ,  3221-10-0300-00  ,  IRFB52N15DPBF  ,  TPD4S009DBVR  ,  IPD200N15N3GATMA1  ,  IPW60R060P7XKSA1  ,  IPP051N15N5AKSA1  ,  BSS123W-7-F  ,  UCC21710DW  ,  G6B-1114P-US-DC12  ,  STGP19NC60KD  ,  502  ,  UCC5320ECD  ,  1ED44173N01BXTSA1  ,  IRS20752LTRPBF  ,  IRS2011STRPBF  ,  6EDL04N02PRXUMA1  ,  IRS21271STRPBF  ,  IRS4427STRPBF  ,  2ED2184S06FXUMA1  ,  IRS2007STRPBF  ,  2ED2110S06MXUMA1
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
РОХС:
YES
IPP200N15N3GXKSA1 Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс):
±20V
Пакет/кейс:
TO-220-3
Рабочая Температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
31 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
150W (Tc)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
150 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
8V, 10V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
50A (Tc)
Пакет устройств поставщика:
PG-TO220-3
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
20mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 90µA
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
1820 pF @ 75 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:7897
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
1
3.33
3.33
50
2.64
132
100
2.27
227
500
2.01
1005
1000
1.73
1730
2000
1.62
3240
5000
1.55
7750
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.