IRFB3006GPBF
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Номер компонента:
IRFB3006GPBF
Альтернативная модель:
IRFB3006PBF
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
РОХС:
YES
IRFB3006GPBF Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
60 V
ВГС (Макс):
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Пакет устройств поставщика:
TO-220AB
Пакет/кейс:
TO-220-3
Рабочая Температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
300 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
375W (Tc)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
195A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
2.5mOhm @ 170A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
8970 pF @ 50 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
1000
2.11
2110
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.