IXTA6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
Номер компонента:
IXTA6N100D2
Альтернативная модель:
IXTA6N100D2-TRL  ,  IXTA6N100D2-TRL  ,  IXTH6N100D2  ,  10054999-R0600BULF  ,  IXTA6N100D2HV  ,  MC34708VM  ,  EP4CE10F17C8N  ,  IXTA3N100D2  ,  DS2502P-E48+  ,  MMSZ4689T1G
Производитель:
Littelfuse / IXYS RF
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
РОХС:
YES
IXTA6N100D2 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
1000 V
Пакет/кейс:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Рассеиваемая мощность (макс.):
300W (Tc)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
6A (Tc)
Пакет устройств поставщика:
TO-263AA
Особенность полевого транзистора:
Depletion Mode
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
95 nC @ 5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
2650 pF @ 25 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
2.2Ohm @ 3A, 0V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1644
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
1
10.3
10.3
50
8.22
411
100
7.36
736
500
6.49
3245
1000
5.84
5840
2000
5.48
10960
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.