IRF6655TR1
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Номер компонента:
IRF6655TR1
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
РОХС:
NO
IRF6655TR1 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс):
±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss):
100 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
530 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
4.2A (Ta), 19A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
62mOhm @ 5A, 10V
Пакет устройств поставщика:
DIRECTFET™ SH
Пакет/кейс:
DirectFET™ Isometric SH
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
11.7 nC @ 10 V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4.8V @ 25µA
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
1000
1.28
1280
2000
1.21
2420
5000
1.17
5850
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.