SI5913DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Номер компонента:
SI5913DC-T1-GE3
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
РОХС:
YES
SI5913DC-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора:
P-Channel
Напряжение стока к источнику (Vdss):
20 V
ВГС (Макс):
±12V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
12 nC @ 10 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
4A (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
1.5V @ 250µA
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
330 pF @ 10 V
Пакет устройств поставщика:
1206-8 ChipFET™
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
2.5V, 10V
Особенность полевого транзистора:
Schottky Diode (Isolated)
Пакет/кейс:
8-SMD, Flat Leads
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
84mOhm @ 3.7A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.):
1.7W (Ta), 3.1W (Tc)
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.