SIS434DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Номер компонента:
SIS434DN-T1-GE3
Альтернативная модель:
1N4148WS  ,  SIS443DN-T1-GE3  ,  FDLL4148  ,  LM78L05ACZ/NOPB  ,  SI7611DN-T1-GE3  ,  SI7309DN-T1-GE3  ,  LTC4041EUFD#TRPBF  ,  SN74LVC1T45DCKR  ,  REF3012AIDBZR  ,  LTC3351IUFF#TRPBF  ,  SI7308DN-T1-GE3  ,  AMC1301DWVR  ,  SQS401EN-T1_BE3  ,  SIS438DN-T1-GE3  ,  DSF106Q3R0C
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
РОХС:
YES
SIS434DN-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
40 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2.2V @ 250µA
Пакет устройств поставщика:
PowerPAK® 1212-8
Пакет/кейс:
PowerPAK® 1212-8
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
40 nC @ 10 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
35A (Tc)
Рассеиваемая мощность (макс.):
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
1530 pF @ 20 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:2261
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
0.43
1290
6000
0.41
2460
9000
0.39
3510
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.