SQJ469EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Номер компонента:
SQJ469EP-T1_GE3
Альтернативная модель:
SQJ479EP-T1_GE3  ,  LT1761IS5-5#TRMPBF  ,  EPC2204  ,  INA237AQDGSRQ1  ,  GRPB041VWCN-RC  ,  SN74LVC125AD  ,  INA3221AQRGVRQ1  ,  SN74LVC1T45MDCKREP  ,  LTC3115EFE-2#PBF  ,  SQJ465EP-T1_GE3  ,  SQJ459EP-T1_GE3  ,  SN65HVD11HD  ,  SQJ457EP-T1_GE3  ,  SQJA81EP-T1_GE3  ,  LT1761IS5-3.3#TRMPBF
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
РОХС:
YES
SQJ469EP-T1_GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Оценка:
Automotive
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
6V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2.5V @ 250µA
Рабочая Температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип полевого транзистора:
P-Channel
Квалификация:
AEC-Q101
Напряжение стока к источнику (Vdss):
80 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
32A (Tc)
Пакет устройств поставщика:
PowerPAK® SO-8
Пакет/кейс:
PowerPAK® SO-8
Рассеиваемая мощность (макс.):
100W (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
155 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
25mOhm @ 10.2A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
5100 pF @ 40 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:9774
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
1.5
4500
6000
1.44
8640
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.