SI4214DDY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Номер компонента:
SI4214DDY-T1-E3
Альтернативная модель:
SI4214DDY-T1-GE3  ,  R5F52315AGFM#30  ,  NLA9306MU3TCG  ,  TSM4936DCS RLG  ,  TAS2770YFFR  ,  MT53E1G32D2FW-046 WT:B  ,  LSM6DSOTR  ,  NX5P3090UKZ  ,  MMZ1005S241CT000  ,  PAM2804AAB010  ,  FPF1204UCX  ,  PCA9555RGER  ,  SIC438BED-T1-GE3  ,  FXLA0104QFX  ,  LTC1726ES8-5#PBF
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC
РОХС:
YES
SI4214DDY-T1-E3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Пакет устройств поставщика:
8-SOIC
Пакет/кейс:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Особенность полевого транзистора:
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss):
30V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2.5V @ 250µA
Конфигурация:
2 N-Channel (Dual)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
660pF @ 15V
Мощность - Макс.:
3.1W
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
22nC @ 10V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
8.5A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
19.5mOhm @ 8A, 10V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:3952
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
2500
0.39
975
5000
0.36
1800
12500
0.34
4250
25000
0.33
8250
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.