SI1912EDH-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6
部件编号：
SI1912EDH-T1-E3
替代型号：
SI1922EDH-T1-GE3 , FDG6301N
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
描述：
MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6
RoHS：
YES
SI1912EDH-T1-E3 规格
安装类型：
Surface Mount
包装/箱：
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备包：
SC-70-6
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管特性：
Logic Level Gate
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
配置：
2 N-Channel (Dual)
漏源电压 (Vdss)：
20V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
1nC @ 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id：
450mV @ 100µA (Min)
功率 - 最大：
570mW
Rds On（最大）@Id、Vgs：
280mOhm @ 1.13A, 4.5V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
1.13A
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