PSMN102-200Y,115
MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
部件编号：
PSMN102-200Y,115
替代型号：
SIHH080N60E-T1-GE3 , IPD60R145CFD7ATMA1 , QS8J4TR , SQJ454EP-T1_GE3 , LTC3624EDD-23.3#PBF , QS6K21TR , SQJA20EP-T1_GE3 , MBRS2H100T3G , MB4S
制造商：
Nexperia
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
RoHS：
YES
PSMN102-200Y,115 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 1mA
漏源电压 (Vdss)：
200 V
供应商设备包：
LFPAK56, Power-SO8
包装/箱：
SC-100, SOT-669
功耗（最大）：
113W (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
30.7 nC @ 10 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
21.5A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
102mOhm @ 12A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
1568 pF @ 30 V
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标准包装数量：62739
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