STU3N62K3
MOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK
STU3N62K3 规格
安装类型：
Through Hole
工作温度：
150°C (TJ)
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
包装/箱：
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs（最大）：
±30V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
13 nC @ 10 V
供应商设备包：
IPAK
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
2.7A (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id：
4.5V @ 50µA
功耗（最大）：
45W (Tc)
漏源电压 (Vdss)：
620 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
2.5Ohm @ 1.4A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
385 pF @ 25 V
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标准包装数量：1655
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