IPD70N10S312ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
部件编号：
IPD70N10S312ATMA1
替代型号：
IRFR4510TRPBF , IRFR540ZTRPBF , SIS892DN-T1-GE3 , LM5109BMAX/NOPB , DMP10H400SK3-13 , SSM3K339R , LF , CMMSH1-100G TR PBFREE , SIR882DP-T1-GE3 , LM5106MMX/NOPB , IPD70N10S3L12ATMA1 , NCV7351D10R2G , BSC070N10NS3GATMA1 , 68691-406HLF , PREC013DAAN-RC , EL3H7(B)(TA)-VG , AUIR2085STR , TLE9180D31QKXUMA1 , AUIRB24427STR
制造商：
IR (Infineon Technologies)
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
RoHS：
YES
IPD70N10S312ATMA1 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
漏源电压 (Vdss)：
100 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
包装/箱：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
功耗（最大）：
125W (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
65 nC @ 10 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
70A (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 83µA
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
4355 pF @ 25 V
供应商设备包：
PG-TO252-3-11
Rds On（最大）@Id、Vgs：
11.1mOhm @ 70A, 10V
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