IPD90P03P4L04ATMA1
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3
部件编号：
IPD90P03P4L04ATMA1
替代型号：
IPD90P03P4L04ATMA2 , IPD042P03L3GATMA1 , DMT6005LSS-13 , BTN8962TAAUMA1 , IPT004N03LATMA1 , BTN8982TAAUMA1 , SMCJ16A , MMBT3904 , LTC4417CGN#PBF , IPD90P03P404ATMA2 , MAX9938WEUK+T , BSZ086P03NS3EGATMA1 , KLDX-0202-B , BSZ440N10NS3GATMA1 , L78L05ACUTR
制造商：
IR (Infineon Technologies)
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3
RoHS：
YES
IPD90P03P4L04ATMA1 规格
安装类型：
Surface Mount
年级：
Automotive
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
场效应管类型：
P-Channel
资质：
AEC-Q101
漏源电压 (Vdss)：
30 V
包装/箱：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
90A (Tc)
Vgs（最大）：
+5V, -16V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
160 nC @ 10 V
供应商设备包：
PG-TO252-3-11
功耗（最大）：
137W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id：
2V @ 253µA
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
11300 pF @ 25 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
4.1mOhm @ 90A, 10V
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