IPI60R099CPXKSA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3
部件编号：
IPI60R099CPXKSA1
替代型号：
IRS44273LTRPBF , 2EDN7524FXTMA1 , 1EDN8511BXUSA1 , 1ED3123MC12HXUMA1 , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS4427STRPBF , 2ED2184S06FXUMA1 , 2ED24427N01FXUMA1 , 1ED3124MU12FXUMA1 , 2ED2110S06MXUMA1 , 1ED3125MU12FXUMA1
制造商：
IR (Infineon Technologies)
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3
RoHS：
YES
IPI60R099CPXKSA1 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
80 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)：
600 V
包装/箱：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
供应商设备包：
PG-TO262-3
功耗（最大）：
255W (Tc)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
31A (Tc)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
2800 pF @ 100 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
3.5V @ 1.2mA
Rds On（最大）@Id、Vgs：
99mOhm @ 18A, 10V
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