IPI60R125CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 25A TO262-3
部件编号：
IPI60R125CPXKSA1
替代型号：
IRS44273LTRPBF , 2EDN7524FXTMA1 , 1EDN8511BXUSA1 , 1ED44173N01BXTSA1 , 2EDL05N06PFXUMA1 , IRS4427STRPBF , 1EDI20N12AFXUMA1 , 2ED2101S06FXUMA1 , 2ED2106S06FXUMA1
制造商：
IR (Infineon Technologies)
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 650V 25A TO262-3
RoHS：
YES
IPI60R125CPXKSA1 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏源电压 (Vdss)：
650 V
包装/箱：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
25A (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
70 nC @ 10 V
功耗（最大）：
208W (Tc)
供应商设备包：
PG-TO262-3
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
2500 pF @ 100 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
125mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id：
3.5V @ 1.1mA
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标准包装数量：2090
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