IPI90R1K0C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO262-3
部件编号：
IPI90R1K0C3XKSA1
制造商：
IR (Infineon Technologies)
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO262-3
RoHS：
NO
IPI90R1K0C3XKSA1 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
34 nC @ 10 V
包装/箱：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
功耗（最大）：
89W (Tc)
漏源电压 (Vdss)：
900 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
1Ohm @ 3.3A, 10V
供应商设备包：
PG-TO262-3
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
5.7A (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id：
3.5V @ 370µA
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
850 pF @ 100 V
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制造商标准交期：待定
标准包装数量：1600
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