IPP072N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
部件编号：
IPP072N10N3GXKSA1
替代型号：
1EDN7512BXTSA1 , IRS10752LTRPBF , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS2011STRPBF , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2ED2184S06FXUMA1 , 2EDL23N06PJXUMA1 , 2ED2110S06MXUMA1 , IPP200N15N3GXKSA1 , STP110N8F6 , IRFB4410ZPBF , MBR60100CT , LM5022MM/NOPB , KF33BDT-TR , 0432238182
制造商：
IR (Infineon Technologies)
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
RoHS：
YES
IPP072N10N3GXKSA1 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
6V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
漏源电压 (Vdss)：
100 V
包装/箱：
TO-220-3
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
功耗（最大）：
150W (Tc)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
80A (Tc)
供应商设备包：
PG-TO220-3
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
68 nC @ 10 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
3.5V @ 90µA
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
4910 pF @ 50 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
7.2mOhm @ 80A, 10V
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制造商标准交期：待定
标准包装数量：3847
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