IPP12CN10LGXKSA1
MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3
部件编号：
IPP12CN10LGXKSA1
替代型号：
FA-T220-25E , MCU30P06Y-TP , IRFB4410ZPBF , CSD19533KCS , SUP50020EL-GE3 , ANT11SF1CQE , TLE8366EVXUMA1 , STP40NF10L , 50M030050N012 , PSMN013-100PS , 127 , IPD122N10N3GATMA1 , EG1271A , 1EDN7512BXTSA1 , IRS10752LTRPBF , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS2011STRPBF , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2ED2184S06FXUMA1 , 2EDL23N06PJXUMA1 , 2ED2110S06MXUMA1
制造商：
IR (Infineon Technologies)
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3
RoHS：
YES
IPP12CN10LGXKSA1 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
漏源电压 (Vdss)：
100 V
包装/箱：
TO-220-3
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
功耗（最大）：
125W (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
58 nC @ 10 V
供应商设备包：
PG-TO220-3
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
69A (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id：
2.4V @ 83µA
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
5600 pF @ 50 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
12mOhm @ 69A, 10V
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快速询价
制造商标准交期：待定
标准包装数量：2486
数量
单价
国际价格
1
2.11
2.11
50
1.71
85.5
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