SPD04P10PGBTMA1
MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3
部件编号:
SPD04P10PGBTMA1
替代型号:
IRS2005STRPBF  ,  IRS10752LTRPBF  ,  ZMY4V3-GS08  ,  ISC750P10LMATMA1  ,  TPS54531DDA  ,  PVD1352NSPBF  ,  150066SV74000  ,  BSZ180P03NS3GATMA1  ,  IRFR9110PBF  ,  EPC2038  ,  VLP-500-F  ,  NRVBAF3200T3G  ,  IRF9510STRLPBF  ,  SPD30P06PGBTMA1  ,  BC856AE6327  ,  DMP10H400SK3-13  ,  BSP171PH6327XTSA1
制造商:
IR (Infineon Technologies)
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3
RoHS:
YES
SPD04P10PGBTMA1 规格
安装类型:
Surface Mount
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(最大):
±20V
漏源电压 (Vdss):
100 V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
10V
工作温度:
-55°C ~ 175°C (TJ)
场效应管类型:
P-Channel
包装/箱:
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
12 nC @ 10 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
4A (Tc)
功耗(最大):
38W (Tc)
供应商设备包:
PG-TO252-3
Vgs(th)(最大值)@Id:
4V @ 380µA
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
319 pF @ 25 V
Rds On(最大)@Id、Vgs:
1Ohm @ 2.8A, 10V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:1600
数量
单价
国际价格
2500
0.4
1000
5000
0.37
1850
12500
0.35
4375
25000
0.34
8500
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