SPD04P10PGBTMA1
MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3
部件编号：
SPD04P10PGBTMA1
替代型号：
IRS2005STRPBF , IRS10752LTRPBF , ZMY4V3-GS08 , ISC750P10LMATMA1 , TPS54531DDA , PVD1352NSPBF , 150066SV74000 , BSZ180P03NS3GATMA1 , IRFR9110PBF , EPC2038 , VLP-500-F , NRVBAF3200T3G , IRF9510STRLPBF , SPD30P06PGBTMA1 , BC856AE6327 , DMP10H400SK3-13 , BSP171PH6327XTSA1
制造商：
IR (Infineon Technologies)
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3
RoHS：
YES
SPD04P10PGBTMA1 规格
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
漏源电压 (Vdss)：
100 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
场效应管类型：
P-Channel
包装/箱：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
12 nC @ 10 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
4A (Tc)
功耗（最大）：
38W (Tc)
供应商设备包：
PG-TO252-3
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 380µA
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
319 pF @ 25 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
1Ohm @ 2.8A, 10V
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