FCP22N60N
MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
部件编号:
FCP22N60N
替代型号:
NTP165N65S3H
制造商:
Sanyo Semiconductor/onsemi
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
RoHS:
YES
FCP22N60N 规格
安装类型:
Through Hole
场效应管类型:
N-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
10V
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱:
TO-220-3
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
45 nC @ 10 V
Vgs(th)(最大值)@Id:
4V @ 250µA
漏源电压 (Vdss):
600 V
供应商设备包:
TO-220-3
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
22A (Tc)
功耗(最大):
205W (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs:
165mOhm @ 11A, 10V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
1950 pF @ 100 V
Vgs(最大):
±45V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:1747
数量
单价
国际价格
1
5.19
5.19
50
4.11
205.5
100
3.52
352
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