IXFA7N100P
MOSFET N-CH 1000V 7A TO263
部件编号：
IXFA7N100P
替代型号：
IXFA7N100P-TRL , IXFA7N100P-TRL , STB6NK90ZT4 , ISO7741FQDWQ1 , IXFA6N120P , IPB90R340C3ATMA2 , IXTA3N100D2 , FQB5N90TM
制造商：
Littelfuse / IXYS RF
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 1000V 7A TO263
RoHS：
YES
IXFA7N100P 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs（最大）：
±30V
漏源电压 (Vdss)：
1000 V
包装/箱：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
功耗（最大）：
300W (Tc)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
7A (Tc)
供应商设备包：
TO-263AA (IXFA)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
47 nC @ 10 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id：
6V @ 1mA
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
2590 pF @ 25 V
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