AOT4N60
MOSFET N-CH 600V 4A TO220
AOT4N60 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱：
TO-220-3
Vgs（最大）：
±30V
Vgs(th)（最大值）@Id：
4.5V @ 250µA
漏源电压 (Vdss)：
600 V
供应商设备包：
TO-220
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
18 nC @ 10 V
功耗（最大）：
104W (Tc)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
4A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
2.2Ohm @ 2A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
615 pF @ 25 V
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标准包装数量：2019
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