QS6K1TR
MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
部件编号:
QS6K1TR
替代型号:
QS6J11TR  ,  QS6K21FRATR  ,  QS8J4TR  ,  FDC6303N  ,  DMN3135LVT-7  ,  TPSM5601R5HRDAR  ,  DMN3190LDW-7  ,  FHR1105P-TR  ,  FDC6401N  ,  BSC146N10LS5ATMA1  ,  AOSD32334C  ,  TLP2270(TP4  ,  E  ,  TPS562208DDCR  ,  MPM3515GQV-Z  ,  TPS7A4901DRBR
制造商:
ROHM Semiconductor
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
RoHS:
YES
QS6K1TR 规格
安装类型:
Surface Mount
包装/箱:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
工作温度:
150°C (TJ)
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管特性:
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss):
30V
配置:
2 N-Channel (Dual)
Vgs(th)(最大值)@Id:
1.5V @ 1mA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
1A
功率 - 最大:
1.25W
供应商设备包:
TSMT6 (SC-95)
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
2.4nC @ 4.5V
Rds On(最大)@Id、Vgs:
238mOhm @ 1A, 4.5V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
77pF @ 10V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:11530
数量
单价
国际价格
3000
0.28
840
6000
0.26
1560
9000
0.24
2160
30000
0.24
7200
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